简 介

1993年12月经国家教委批准，以北京师范大学核科学与技术学院（北京市辐射中心）为依托，建立国家教委射线束材料工程开放研究实验室。1994年6月召开了开放实验室成立大会和第一届学术委员会，审批了第一批13项开放研究课题，自筹资金试开放。1995年11月经国家教委批准正式对外开放。1999年经学术委员会建议和教育部批准更名为射线束技术与材料改性教育部重点实验室。2017年9月28日通过教育部组织的射线束技术教育部重点实验室论证会，开始射线束技术教育部重点实验室的筹建阶段。实验室现任主任为张丰收教授，副主任为薛文斌教授，学术委员会名誉主任为王乃彦院士，学术委员会主任为欧阳晓平院士。学术委员会成员包括：柴之芳院士、冯世平教授、张丰收教授、薛文斌教授、唐传祥教授、王学武教授、许甫荣教授、王宇钢教授、任中洲教授、赵玉民教授、周善贵教授、张红教授、张守著教授、郭广生教授、孙天希教授、王广甫教授、韩德俊教授、谢柏松教授。实验室秘书：迟智军。

实验室有一支高素质的学科建设梯队，目前固定人员58名，其中24人具有正高职称、12人具有副高职称，其中院士2名、杰青2名、新世纪人才2名，湖南省科技创新人才1名。

实验室通迅地址：北京师范大学核科学与技术学院；邮编：100875；电话：010-58807317；电子信箱：chizj18@bnu.edu.cn；网址：http://btmm.bnu.edu.cn/。

实验室主要有5个学术方向，分别为离子束技术及应用，X射线调控技术及应用，材料表面改性及服役安全，辐射技术、辐射探测及应用，粒子物理与原子核物理若干前沿问题。其中特色显著的研究包括：

1) 强流离子束技术、离子注入和金属材料表面改性

2) X光调控技术及应用

3) 新型微电子材料与器件研究

4) 等离子体微弧氧化技术及其应用

5) 辐射物理与应用

6) 粒子输运、非线性物理和凝聚态理论

本实验室是全国最早开展离子注入材料改性研究的单位，在注入离子的种类、能量范围、束流强度、注入工艺、和改性机理等方面始终保持优势，相关研究成果得到国内外同行的广泛认可。在国家863项目连续四个五年计划资助下发展起来的MEVVA源已成为材料表面研究和加工的有力工具，荣获国家新产品证书，形成了系列产品，被内地和港台30多个大学、研究所和企业引进，用于表面界面物理和工业应用研究。该领域研究成果获国家自然科学三等奖1项，教育部和北京市科学技术进步奖8项。

本实验室是国际上最早开展毛细管X光透镜研究的机构之一，也是我国唯一开展毛细管X光透镜研制和应用开发的科研单位，研发了汇聚束透镜、平行束透镜、微汇聚束透镜等多种型号的整体X光透镜。其中，汇聚束透镜能将X光的功率密度提高3个量级，在微区分析中将探测限降低到10-13g；平行束或微汇聚准平行束透镜可将X射线强度提高上百倍。X光透镜的研制使人类对凝聚态物质的分析研究能力取得突破性进展，产品已销往德、荷、美、日等国家的大公司、高等院校和科研院所。“整体X光透镜”及相关成果荣获国家新产品证书，国家科技进步二等奖，教育部科技进步一等奖，并获德、荷、美三国以及我国多项发明专利授权。

本实验室是国内最早开展离子注入半导体改性以及半导体元器件的离子注入工艺研究的单位之一，曾经在半导体离子注入技术及其在半导体器件中的应用、白光快速退火技术、GaAS MESFET GaAS/AlGaAs HBT、穿通型GaAs/AlGaAs HPT、侧面入射条形X光探测器以及高纯区熔硅光晶体管等方面开展过深入的研究工作。实验室建有一条专门研制和小规模生产硅基半导体探测器的1英寸至4英寸工艺流水线，洁净实验室面积200m²，洁净室级别为万级至百级。近年来实验室主要从事新颖半导体器件物理及技术、半导体光电子学、半导体辐射探测器及相关电子学、弱光探测技术及应用方向的研究工作。重点研究和开发硅基半导体探测器，包括掩埋双pn结（BDJ）波长探测器、硅漂移探测器（SDD）以及硅光电倍增器（SiPM）等。

在国家863和国家自然科学基金等项目的支持下，本实验室发展起来材料表面处理技术——铝、镁、钛等金属和合金的微弧氧化技术，该技术可以大大提高铝、钛、镁等金属和合金零部件表面的硬度，以及防腐、耐磨、延寿等性能，在军工、纺织、化工、汽车、电子、航天航空、医疗器械等领域有广阔的应用前景。本实验室研制的微弧氧化设备已经安装到中国材料表面科学技术中心、中科院兰州化学物理所等单位，成为材料表面处理的有力工具。近年来实验室积极开展燃料棒锆合金包壳的微弧氧化处理工作，开展了等离子体电解快速渗碳氮硼及多元共渗技术和阴极等离子体电解氧化探索，大力拓展等离子体微弧材料表面改性的研究方向。

本实验室拥有电子、离子、X射线、γ射线等多种类型的辐射装置，在BF-5电子直线加速器上还建有1台微秒级脉冲辐解装置，在辐射物理、辐射化学、辐射生物学及辐射技术应用中取得多项成果，荣获国家科技进步三等奖1项、教育部和北京市科技进步奖10项、发明专利1项。

以黄祖洽院士为学术带头人，本实验室在中子输运、浸润相变、等离子体物理、强场物理、强关联多电子系统、磁性材料、高温超导材料、金属表面缺陷、半导体量子点和量子线、非线性、分形物理等领域的理论研究中荣获过国家自然科学三等奖、教育部一等奖、教育部二等奖、和求是基金奖。